消息称三星电子 HBM4 内存逻辑芯片进展较佳但 DRAM 芯片面临困境

40%只是一个初期成绩，未来会随着芯片制造的成熟逐步提高。而该百分比显示4nmHBM4逻辑芯片的进一步开发有了较为稳定的基础。三星电子在HBM3时期遭遇了重大挫折，将70%的HBM内存市场份额拱手送给主要竞争对手SK海力士，更是三星电子将在12HiHBM4中采用1cnmDRAM内存芯片和4nm逻辑芯片，虽然逻辑芯片端的初始成绩较为喜人，但1cDRAM方面似乎遇到了一些问题。另一家韩媒《DealSite》当地时间昨日报道称，自1znm时期开始出现的电容漏电问题正对三星1cnmDRAM的开发量产造成明显影响。三星试图通过适当放宽线宽等方式来改进电容器表现，但稳定性尚未达到预期水平，很可能会拖慢1cnm进度。相关阅读：《广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，亚汇网所有文章均包含本声明。